氧化钒薄膜及其在微电子和光电范畴在的使用已成为国际上新颖功用资料研讨热门之一。

　　因氧化钒薄膜具有高的电阻文档系数(TCR)值，其阻值随入射辐射导致的温升有十分活络的改动，微测辐射热计正是利用了这一特性，因而氧化钒薄膜在红外勘探和红外成像方面具有广泛的使用远景。

　　因而，优化技术参数制备出高功能的氧化钒薄膜是亟待解决的课题。本论文在低温下以高纯金属钒作靶材，用直流磁控溅射的办法制备出了氧化钒薄膜。

　　经过规划正交试验，系统剖析了氩气和氧气的流量比，溅射功率，作业压强，基地温度对氧化钒薄膜TCR的影响，取得了这四个要素对TCR值遍及趋势。试验结果标明：当Ar与O2的份额为100：4，功率为120W，作业压强为2Pa时，所取得薄膜TCR值遍及较大。

　　因为热处理能够消除薄膜在沉寂过程中发生的内应力，完成晶体结构的重构，然后改进薄膜机械、晶体结构和电学功能等多方面功能。试验系统研讨了热处理温度和热处理时刻对薄膜功能的影响。

　　退火温度和退火时刻对氧化钒薄膜TCR有重要影响，得到了氧化钒薄膜退火后TCR与退火时刻和退火温度的联系曲线。

　　结果标明，氧化钒薄膜的TCR值经热处理都在-2%/K邻近，最高的可达-3.6%/K。

　　运用扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(XPS)对热处理后薄膜进行了进一步的剖析，研讨标明选用直流磁控溅射制备办法和热处理能够制备出氧化钒薄膜，晶粒尺度在纳米数量级。

　　运用XPS剖析薄膜成分，发现Ar和02份额是影响氧化钒薄膜成分的最主要要素。

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